ترجمه مقاله سنتز لایه های اتمی MoS2 دو بعدی در مقیاس بزرگ با روش رسوب دهی شیمیایی بخار بدون هیدروژن و پرومتر

21 شهریور 1397 | 13:07

ترجمه مقاله سنتز لایه های اتمی MoS2 دو بعدی در مقیاس بزرگ با روش رسوب دهی شیمیایی بخار بدون هیدروژن و پرومتر
عنوان فارسی مقاله: سنتز لایه های اتمی MoS2 دو بعدی در مقیاس بزرگ با روش رسوب دهی شیمیایی بخار بدون هیدروژن و پرومتر
عنوان انگلیسی مقاله: Synthesis of large-scale 2-D MoS2 atomic layers by hydrogen-free and promoter-free chemical vapor deposition
مجله/کنفرانس: Materials Letters
رشته های تحصیلی مرتبط: مهندسی مواد، مهندسی شیمی
گرایش های تحصیلی مرتبط: نانو مواد، افزاره های میکرو، نانو الکترونیک، نانو شیمی، شیمی کاربردی
کلمات کلیدی فارسی: مولیبدنیوم دی سولفید، رسوب دهی شیمیایی بخار، اندازه ویفر، ماده دو بعدی، دی کالگونیدهای فلزات واسطه
کلمات کلیدی انگلیسی: Molybdenum disulfide; Chemical vapor deposition; Wafer-size; 2-D material; Transition metal dichalcogenides
نوع نگارش مقاله: Discussion
نمایه: scopus - master journals - JCR
DOI: doi.org/10.1016/j.matlet.2015.12.068
ناشر: الزویر - Elsevier
نوع ارائه مقاله: ژورنالی
نوع مقاله: ISI
سال انتشار مقاله: 2016
ایمپکت فاکتور: 2.687(2017)
شاخص H_index: 115
SJR: 0.782
شناسه ISSN: 0167-577X
فرمت مقاله انگلیسی: PDF
فرمت ترجمه فارسی: Word
تعداد صفحات مقاله انگلیسی: 4
تعداد صفحات ترجمه فارسی: 8
کد محصول: EM381
فهرست انگلیسی مطالب
abstract

Introduction

Experimental

Results and discussion

Summary

References
ترجمه فارسی فهرست مطالب
چکیده

مقدمه

آزمایش

نتایج و بحث

خلاصه

منابع
نمونه متن انگلیسی مقاله
Abstract

As one of the two-dimensional (2-D) transition metal dichalcogenides, atomically thin molybdenum disulfide (MoS2) has attracted significant attention and research interests for micro and nanoelectronic applications. Significant efforts have been made to develop different approaches in order to obtain atomic layer MoS2, such as exfoliation, chemical synthesis, and physical or chemical vapor deposition (CVD) processes. In this paper, we report a hydrogen-free and promoter-free CVD growth to synthesize large-area MoS2 atomic layers. A variety of techniques including optical microscopy (OM), atomic force microscopy (AFM), photoluminescence (PL) mapping, Raman and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), high resolution electron microscopy (HREM) and scanning transmission electron microscopy (STEM) were applied to characterize the film quality, uniformity and layer numbers. High quality centimeter-sized MoS2 atomic layers were demonstrated, which form a foundation to develop wafer-sized material platform for device fabrication and production.
نمونه متن فارسی مقاله
چکیده

به عنوان یکی از دی کالگونیدهای فلزات واسطه 2 بعدی، مولیبدنیوم دی سولفید نازک اتمی (MoS2) در کاربردهای میکرو و نانوالکترونیک، توجه تحقیق را به خود جلب کرده است. در این راستا تلاشهایی در جهت توسعه شیوه های مختلف دستیابی به MoS2 لایه اتمی صورت گرفته است که از این جمله می توان به پوسته پوسته شدن، سنتز شیمیایی و فرایندهای رسوب دهی فیزیکی یا شیمیایی بخار (CVD) اشاره نمود. در این مقاله، رشد CVD بدون هیدروژن و بدون پرومتر برای سنتز لایه های اتمی MoS2 در مقیاس بزرگ را گزارش می کنیم. از تکنیک های گوناگونی مثل میکروسکوپی نوری (OM)، میکروسکوپی نیروی اتمی (AFM)، نگاشت فوتولومینسانس (PL)، طیف بینی فوتوالکترونی اشعه x و رامان (XPS)، میکروسکوپی الکترونی با وضوح بالا (HREM) ، و میکروسکوپی الکترون روبشی عبوری (STEM) برای توصیف کیفیت فیلم، یکنواختی و تعداد لایه استفاده گردید. لایه های اتمی MoS2 در اندازه سانتی متر با کیفیت بالا شرح داده شدند، آنها بنیانی برای توسعه پلتفرم ماده ای در اندازه ویفر برای ساخت و تولید وسیله تشکیل می دهند.
  • اشتراک گذاری در

دیدگاه خود را بنویسید:

تاکنون دیدگاهی برای این نوشته ارسال نشده است

جستجوی پیشرفته مشاهده خریدهای قبلی